日本valcom壓力傳感器的原理及產品介紹

發布日期：2022-05-19      瀏覽次數：2481

日本valcom壓力傳感器的原理及產品介紹

半導體壓力傳感器的結構及操作說明

 

傳感器芯片結構

在硅片受壓部（硅膜片）中，與通常的IC制造工序一樣，通過雜質擴散形成硅規。
當對硅片施加壓力時，儀表電阻會根據撓度而變化，并轉換為電信號。（壓阻效應）
該量規的特點是量規比大。（金屬規格為2-3，硅規格為數十至100）。
結果，可以獲得高輸出，使得可以用厚膜片制造，并且提高了壓力傳感器的耐壓性。

目標型號

半導體型壓力傳感器
VDP4、VSW2（低壓用）等

半導體膜片式壓力傳感器的結構及操作說明

半導體膜片式壓力傳感器是與測量介質直接接觸的具有高耐腐蝕性的金屬膜片（相當于哈氏合金C-22、SUS316L等），以及通過傳感器檢測壓力的硅片（硅膜片）。密封硅油。) 用于雙隔膜方法。
通過壓力入口與測量介質直接接觸的是SUS316L隔膜（或哈氏合金C-22等效），可以穩定測量不浸入的介質（空氣、水、油等）它... [連接螺釘形狀為 G3 / 8 時，使用 O 型圈（氟橡膠）密封管道。]

特征

可以制造可以測量正壓、負壓、耦合壓力和絕對壓力的各種傳感器元件。

與介質直接接觸的受壓構件相當于哈氏合金C-22，可以用SUS316L制造，因此具有優良的耐腐蝕性。

由于檢測壓力的硅芯片的厚隔膜，具有出色的耐壓性。

 

目標型號

半導體膜片式壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等.